Nagbubuo na ang Toshiba ng 5-bit-per-cell (plc) na flash ssd na teknolohiya

Sinimulan na ng Toshiba ang pagpaplano para sa hinaharap na mga henerasyon ng BiCS Flash. Ang bawat bagong henerasyon ay magkakasabay sa mga bagong henerasyon ng pamantayan ng PCIe, na nagsisimula sa BiCS 5, na malapit nang ilabas sa alignment kasama ang PCIe 4.0, ngunit ang kumpanya ay hindi nagbigay ng isang tiyak na timeline. Ang BiCS5 ay magkakaroon ng mas malawak na bandwidth ng 1, 200MT / s, habang ang BiCS6 ay umabot sa 1, 600MT / s, at inaasahan na maabot ng BiCS7 ang 2, 000MT / s.

Nagbubuo na ang Toshiba ng 5-bit-per-cell (PLC) Flash SSD na teknolohiya

Sinimulan din ng kumpanya ang pagsasaliksik ng antas ng cell ng Penta level cell (PLC) NAND at napatunayan ang pagganap ng limang-bit-per-cell NAND na teknolohiya sa pamamagitan ng pagbabago ng kasalukuyang NAND QLC. Ang bagong flash ay nagbibigay ng higit na density na may kakayahang mag-imbak ng limang mga bit bawat cell, sa halip na apat lamang na naroroon sa kasalukuyang QLC. Ngunit, upang gawin ito, ang cell ay kailangang mag-imbak ng 32 iba't ibang mga antas ng boltahe, at ang mga driver ng SSD ay kailangang basahin nang tumpak. Sa napakaraming mga antas ng boltahe upang mabasa at isulat sa isang sukatan, ang bagong teknolohiya ay isang malaking hamon. Upang makontrol ang mga stricter threshold, kinakailangang bumuo ng ilang mga karagdagang proseso ang kumpanya na maaaring maiakma sa kasalukuyang TLC at QLC upang madagdagan ang pagganap.

Ang QLC ay medyo mabagal at may mas kaunting pagtutol kaysa sa iba pang mga uri ng flash. Ang PLC ay magkakaroon ng mas kaunting pagtutol at mas mabagal na pagganap. Gayunpaman, ang mga bagong tampok na protocol ng NVMe tulad ng Zoned Namespaces (ZNS) ay dapat makatulong na mapagaan ang ilan sa mga problema. Ang ZNS mismo ay naglalayong mabawasan ang pagsusulat ng pagsulat, bawasan ang pangangailangan para sa media na labis na pagkakaloob at ang paggamit ng mga panloob na mga DRAM ng pamamahala, at siyempre mapabuti ang pagganap at latency.

Bisitahin ang aming gabay sa pinakamahusay na SSD drive sa merkado

Ang kumpanya ay nakabuo ng isang bagong proseso na nagpapataas ng density ng mga matrice sa mga susunod na henerasyon ng BiCS FLASH sa lahat ng mga form nito. Mahalaga, hahatiin nito ang cell ng memorya sa kalahati upang mapalawak ito habang pinapanatili ang normal na proseso ng 3D flash. Hindi sigurado si Toshiba na ang pamamaraang ito ay ganap na magagawa sa ngayon.

Ang pag-iimbak sa solidong drive ng estado ay lilitaw na patuloy na umuusbong, na may mas malaki, mas mabilis, at mas abot-kayang drive.

Ang font ng Tomshardware