Ipinakikilala ng Samsung ang bagong memorya ng high-bandwidth hbm2e

Inilabas lamang ng Samsung ang bagong high-bandwidth memory na HBM2E (Flashbolt) sa NVIDIA's GTC 2019 event. Ang bagong memorya ay idinisenyo upang magbigay ng pinakamataas na pagganap ng DRAM para magamit sa mga susunod na henerasyon na mga supercomputer, mga sistema ng graphics, at artipisyal na intelihente (AI).

Nag-aalok ang HBM2E ng 33% na higit na bilis kaysa sa nakaraang henerasyon HBM2

Ang bagong solusyon na tinatawag na Flashbolt, ay ang unang memorya ng HBM2E sa sektor na nag-alok ng data transfer rate na 3.2 gigabits bawat segundo (Gbps) bawat pin, ito ay kumakatawan sa 33% na mas mabilis kaysa sa nakaraang henerasyon ng HBM2. Ang Flashbolt ay may isang density ng 16Gb bawat matrix, doble ang kapasidad ng nakaraang henerasyon. Sa mga pagpapahusay na ito, ang isang solong pakete ng HBM2E ng Samsung ay mag-aalok ng isang bandwidth ng 410 gigabytes bawat segundo (GBps) at 16 GB ng memorya.

Bisitahin ang aming gabay sa pinakamahusay na mga alaala ng RAM

Ito ay kumakatawan sa isang tagumpay, na maaaring higit pang mapabuti ang pagganap ng mga graphic card na gumagamit nito. Hindi alam kung ginamit ng bagong henerasyon na AMD Navi ang ganitong uri ng memorya, o kung nagtaya sila sa memorya ng GDDR6. Matatandaan na ang Radeon VII, pinakabagong graphics card ng AMD, ay gumagamit ng 16GB ng HBM2 memorya.

"Ang pagganap ng nangungunang industriya ng Flashbolt ay magbibigay-daan sa mga pinahusay na solusyon para sa mga susunod na henerasyon ng mga sentro ng data, artipisyal na intelektwal, pag-aaral ng makina, at mga aplikasyon ng graphics, " sabi ni Jinman Han, senior vice president ng memorya ng produkto ng pagpaplano at application engineering team sa Samsung. "Patuloy nating palawakin ang aming 'premium' na DRAM na nag-aalok at mai-upgrade ang aming mataas na pagganap, mataas na kapasidad, mababang lakas na memorya ng memorya 'upang matugunan ang pangangailangan ng merkado . "

Techpowerup font