Plano ng Samsung na gumawa ng mass-produce 3nm gaafet chips noong 2021

Sa kalagitnaan ng nakaraang taon, lumitaw ang balita na binalak ng Samsung na gumawa ng 3nm chips sa 2022, ngunit mukhang magiging isang taon nang maaga, kasama ang pagdating ng isang bagong teknolohiya ng transistor na tinatawag na GAAFET.

Samsung upang simulan ang paggawa ng 3nm GAAFET chips sa 2021

Kinumpirma ng Samsung na plano nitong simulan ang serial production ng 3nm Gate-All-Around Field-Effect Transistors (GAAFETs) noong 2021, gamit ang isang uri ng transistor na idinisenyo upang magtagumpay sa kilalang FinFET ngayon.

Inilarawan ng pangalan ng GAAFET ang lahat ng kailangan mong malaman tungkol sa teknolohiya. Pagtagumpayan ang pagganap at mga limitasyon ng FinFET sa pamamagitan ng pag-aalok ng apat na mga pintuan sa paligid ng lahat ng panig ng isang channel upang mag-alok ng buong saklaw. Sa paghahambing, ang FinFET ay sumasaklaw sa tatlong panig ng isang channel na hugis ng tagahanga. Sa katunayan, ang GAAFET ay tumatagal ng ideya ng isang three-dimensional transistor sa susunod na antas.

Papayagan din ng bagong teknolohiya na mapatakbo ito sa mas mababang mga boltahe kaysa ngayon, kahit na hindi nila detalyado nang eksakto kung paano isasalin ang pagpapabuti sa pagganap ng enerhiya.

Ang Samsung ay binuo ng teknolohiyang GAAFET nito sa loob ng maraming taon, at ang mga naunang pagtatantya ng kumpanya ay inilalagay ang paglulunsad ng 4nm GAAFET na teknolohiya nang maaga ng 2020. Inaasahan din ng Samsung na ito ang unang kumpanya na maglunsad ng isang 7nm na proseso ng EUV., na may mga plano upang simulan ang produksyon sa huling taon. Ang katunggali nitong TSMC ay nagplano ring ipatupad ang teknolohiyang EUV kasama ang 7nm + node.

Kung tama ang mga pagtatantya ng Samsung, ang kumpanya ay may isang pagkakataon na maging nangungunang tagagawa ng silikon sa buong mundo para sa mga darating na taon, kahit na hindi nangangahulugang hindi maaaring labanan ang TSMC.

Ang font ng Overclock3D