Bumubuo ang Samsung ng unang ikatlong-henerasyon na 10nm dr

Inihayag ngayon ng Samsung na binuo ito sa kauna-unahang pagkakataon sa industriya ng isang pangatlong henerasyon na DDR4 dobleng-rate 8 gigabit (Gb) 10-nanometer (1z-nm) DRAM.

Ang Samsung ay isang payunir sa paggawa ng mga alaala ng DRAM

16 na buwan lamang mula noong ikalawang henerasyon ng 10nm (1y-nm) 8Gb DDR4 na klase ay nagsimulang paggawa ng masa, ang pag-unlad ng 1z-nm 8Gb DDR4 nang walang paggamit ng Extreme Ultraviolet (EUV) na pagpoproseso ay nagtulak sa mga limitasyon. ng scale ng DRAM.

Habang ang 1z-nm ay nagiging pinakamaliit na pagproseso ng node sa pagproseso ng industriya sa industriya, ang Samsung ay naghanda upang tumugon sa lumalagong mga kahilingan sa merkado kasama ang bagong DDR4 DRAM na may higit sa 20% na mas mataas na produktibo sa pagmamanupaktura kumpara sa nakaraang bersyon ng 1y-nm. Ang mass production ng 1z-nm at 8Gb DDR4 ay magsisimula sa ikalawang kalahati ng taong ito upang mapaunlakan ang susunod na henerasyon ng mga high-end na server ng negosyo at mga PC na inaasahang mailalabas sa 2020.

Bisitahin ang aming gabay sa pinakamahusay na mga alaala ng RAM

Ang pagbuo ng Samsung 1z-nm DRAM ay nagbibigay daan para sa susunod na henerasyon ng memorya ng DDR5, LPDDR5 at GDDR6, na kung saan ay ang kinabukasan ng industriya. Ang mas mataas na kapasidad at pagganap ng mga produkto ng 1z-nm ay magpapahintulot sa Samsung na palakasin ang pagiging mapagkumpitensya nito at pagsama ang pamunuan nito sa 'premium' na memorya ng DRAM para sa mga aplikasyon kabilang ang mga server, graphics at mobile device.

Kinuha ng Samsung ang pagkakataong sabihin na madaragdagan nito ang bahagi ng pangunahing paggawa ng memorya nito sa halaman ng Pyeongtaek sa Korea upang matugunan ang lumalaking pangangailangan para sa DRAM.

Techpowerup font