Kinumpirma ng Samsung ang mass production ng 10nm ddr4 memory

Kinumpirma ng Samsung ang pagsisimula ng mass production ng DDR4 DRAM memory na may isang density ng 8 Gibagit at sa advanced na pangalawang henerasyon na 10nm FinFET na proseso, na mag-aalok ng mga bagong antas ng kahusayan ng enerhiya at pagganap.

Pinag-uusapan ng Samsung ang tungkol sa kanyang pangalawang henerasyon ng memorya ng 10nm DDR4

Ang bagong 10nm at 8Gb DDR4 na memorya ng Samsung ay nag- aalok ng 30 porsiyento na higit na produktibo kaysa sa nakaraang 10n henerasyon, kasama ito 10 porsyento na higit na pagganap at 15 porsiyento na higit na kahusayan ng enerhiya, lahat salamat gamit ang advanced na patentadong teknolohiya ng disenyo ng circuit.

Ang bagong sistema ng pagtuklas ng data ay nagbibigay-daan sa isang mas tumpak na pagpapasiya ng data na nakaimbak sa bawat cell, na tila humahantong sa isang malaking pagtaas sa antas ng pagsasama ng circuit at pagiging produktibo ng pagmamanupaktura. Ang pangalawang henerasyong ito ng memorya ng 10nm ay gumagamit ng isang air spacer sa paligid ng mga bit line upang mabawasan ang kapasidad ng kalat, pinapabilis nito hindi lamang isang mas mataas na antas ng pag-scale, kundi pati na rin mabilis na operasyon ng cell.

"Sa pamamagitan ng pagbuo ng mga makabagong teknolohiya sa disenyo at proseso ng mga DRAM circuit, natalo natin kung ano ang naging isang malaking hadlang sa scalability ng DRAM. Pangalawang henerasyon ng 10nm na klase ng DRAM, palawakin namin ang aming pangkalahatang 10nm DRAM na produksyon nang mas agresibo, upang mapaunlakan ang malakas na demand sa merkado at magpatuloy upang palakasin ang aming komersyal na pakikipagkumpitensya."

"Upang paganahin ang mga nagawa na ito ay nag-apply kami ng mga bagong teknolohiya, nang walang paggamit ng isang proseso ng EUV. Kasama sa pagbabago dito ang paggamit ng isang highly sensitive cell data detection system at isang progresibong 'air spacers' scheme."

Fudzilla font