Sinimulan ng Micron ang paggawa ng mga 128-layer 3d nand 'rg' module
Talaan ng mga Nilalaman:
Ang Micron ay gumawa ng unang ika-apat na henerasyon na mga module ng memorya ng 3D NAND kasama ang bagong arkitektura ng RG (kapalit na). Kinukumpirma ng tape na ang kumpanya ay nasa track upang makagawa ng komersyal na memorya ng 4th Generation 3D NAND sa memorya ng 2020, ngunit ang pag-iingat ng Micron na ang memorya na ginamit ng bagong arkitektura ay gagamitin lamang para sa ilang mga aplikasyon, at samakatuwid ang mga pagbawas sa Ang mga gastos sa 3D NAND sa susunod na taon ay magiging minimal.
Gumagawa na ang Micron ng mga 128-layer na 3D NAND module na may arkitektura ng RG
Ang pang-apat na henerasyon na 3D NAND ng Micron ay gumagamit ng hanggang sa 128 mga aktibong layer. Ang bagong uri ng memorya ng 3D NAND ay nagpapalitan ng lumulutang na teknolohiya ng gate (na ginamit ng Intel at Micron para sa mga taon) para sa teknolohiyang kapalit ng gate sa isang pagtatangka upang mabawasan ang laki at gastos ng array habang nagpapabuti pagganap at pagpapagaan ng mga paglilipat sa susunod na mga node ng henerasyon. Ang teknolohiya ay binuo ng eksklusibo ng Micron nang walang anumang input mula sa Intel, kaya malamang na iniayon sa mga application na nais ng Micron na ma-target ang higit pa (marahil sa mga mataas na ASP, tulad ng mobile, consumer, atbp.).
Bisitahin ang aming gabay sa pinakamahusay na memorya ng RAM sa merkado
Walang plano ang Micron na dalhin ang lahat ng mga linya ng produkto nito sa paunang teknolohiya ng proseso ng RG, kaya ang mga gastos sa bawat kumpanya ay hindi bumaba nang malaki sa susunod na taon. Gayunpaman, ang firm ay nangangako na makakakita ito ng mga makabuluhang pagbawas sa gastos sa piskal na taon 2021 (nagsisimula sa huling bahagi ng Setyembre 2020) matapos ang kasunod na kasunod na RG node ay malawak na naipadala sa buong linya ng produksyon.
Ang Micron ay kasalukuyang nagdaragdag ng paggawa ng 96-layer 3D NAND at sa susunod na taon gagamitin ito sa karamihan ng mga linya ng produkto nito. Samakatuwid, ang 128-layer 3D NAND ay hindi magiging sanhi ng maraming epekto nang hindi bababa sa 1 taon. Kami ay magpapaalam sa iyo.
Anandtech fontSinimulan ng Micron ang paggawa ng masa sa mga alaala ng gddr6
Inihayag ng Micron ang simula ng paggawa ng masa ng mga alaala ng GDDR6 na may kapasidad na 8 Gb at mga bersyon ng 12Gbps at 14Gbps.
Sinimulan ng Micron ang paggawa ng masa ng 12gb lpddr4x dram chips
Inihayag ng Micron sa linggong ito na nagsimula na ang mass production ng unang 10nm LPDDR4X na mga aparato ng memorya.
Sinimulan ng Micron ang paggawa ng memorya ng 16gb klase 1z ddr4
Inihayag ng Micron na nagsimula na ito ng serial production ng kanyang 16 Gb DDR4 RAM module gamit ang 1z process node.
