Inilabas ng Hynix ang Unang 96-Layer 512GB Nand CTF 4d Flash Memory

Inilabas ngayon ng SK Hynix ngayon ang unang 96-layer 512Gb 96-layer 4D NAND flash (Charge Trap Flash). Ang bagong uri ng flash memory ay batay pa rin sa teknolohiyang 3D TLC, ngunit ang SK Hynix ay nagdagdag ng isang pang-apat na sukat dahil sa pagsasama nito ng teknolohiyang singil ng bitag na kasabay ng 'PUC' (Panahon sa ilalim ng teknolohiya ng Cell).

Ipinakilala ng SK Hynix ang bago nitong 96-layer 4D NAND na mga alaala

Sinabi ni SK Hynix na ang pokus nito ay (malinaw naman) na mas mahusay kaysa sa karaniwang ginagamit na diskarte sa lumulutang na 3D. Ang 4D NAND chip design ay nagreresulta sa higit sa 30% na pagbawas sa laki ng chip at pinatataas ang pagiging produktibo ng bit-per-wafer sa pamamagitan ng 49% kumpara sa 72-layer ng 512 Gb 3D NAND ng kumpanya. Bilang karagdagan, ang produkto ay may 30% na higit pang bilis ng pagsulat at 25% higit pang pagganap ng data basahin.

Ang bandwidth ng data ay dinoble upang maging pinuno ng industriya (sa laki) sa 64 KB. Ang data na I / O rate (input / output) umabot sa 1, 200 Mbps (megabits / sec) na may boltahe na 1.2 V.

Ang unang drive ng 1TB ay darating sa 2019

Ang plano ay upang ipakilala ang mga drive ng consumer na may mga kapasidad hanggang sa 1TB kasama ang mga driver ng SK Hynix at firmware. Plano ng kumpanya na gumamit ng 1 Tb TLC at QLC 96-layer memory chips sa 2019.

Ito ang hinaharap ng solidong drive ng estado, na may mga pagpapabuti sa lahat ng mga harapan, nadagdagan ang mga kakayahan, at basahin at isulat ang bilis.

Techpowerup font